特許
J-GLOBAL ID：200903088659287242

レジスト膜及びそれを用いた圧電素子の製造方法

発明者：
小阪彰伯

小阪彰伯 について


出願人/特許権者：
キンセキ株式会社

キンセキ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-218644
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082930
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィ法による圧電素子の製造において、圧電素板のエッチングの際、フッ酸系溶液がレジスト膜を透過し、レジスト膜下の金属膜の微細な隙間から侵入して、圧電素板表面のエッチング不要な部分もエッチングしてしまうという課題がある。【解決手段】 上記課題を解決するために、フォトリソグラフィ法により、圧電素板から所望の外形形状の圧電素子を複数作成する際に使用するレジスト膜において、このレジスト膜を70°C以上のフッ酸系溶液に化学的耐久性を持つ有機物で形成したことを特徴とするレジスト膜、およびそのレジスト膜を用いた圧電素子の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィ法により、圧電素板から所望の外形形状の圧電素子を複数作成する際に使用するレジスト膜において、該レジスト膜を70°C以上のフッ酸系溶液に化学的耐久性を持つ有機物で形成したことを特徴とするレジスト膜。
IPC (6件)：
H03H 3/02 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 9/19
FI (6件)：
H03H 3/02 B ,  G03F 7/004 ,  H03H 9/19 A ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z
Fターム (16件)：
2H025AA00 ,  2H025AB20 ,  2H025AD03 ,  2H025CB14 ,  2H025CB25 ,  2H025CB29 ,  2H025CB30 ,  2H025CB51 ,  2H025DA30 ,  2H025FA03 ,  2H025FA14 ,  2H025FA40 ,  5J033BB02 ,  5J033CC04 ,  5J033KK01 ,  5J041AA08
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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