微細配線の形成方法及び微細トランジスタの製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-046962
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260483
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】0.1μm以下の微細なゲート電極等の微細配線の形成方法及びその微細配線を有する微細トランジスタの製法を提供する。【構成】半導体基板上に絶縁層を介して不純物元素を含有する非晶質シリコンを堆積した後、パターニングすることによって不純物元素を含有する非晶質シリコン膜を形成する工程と、上記非晶質シリコン膜の表面を熱酸化することによって所要の厚さの酸化膜を形成する工程を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁層を介して不純物元素を含有する非晶質シリコンを堆積した後、パターニングすることによって不純物元素を含有する非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜の表面を熱酸化することによって所要の厚さの酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする微細配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/266 , H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/88 E , H01L 21/265 M , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-058663
特開平2-219235
特開平3-016140

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