特許

J-GLOBAL ID：200903088665389030

パターン薄膜形成法

発明者： ハバ ベルガセム ,  森重 幸雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-303567
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206296
出願日： 1991年11月19日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】基板上に配線パターンを形成する。【構成】基板上に第1の薄膜を形成し、第1の薄膜にレーザビームを照射して、第1の薄膜を分解もしくは改質してパターンを形成し、一括選択成膜法によりこのパターン上に選択的に第2の薄膜を成長させるパターン薄膜形成法において、第1の薄膜をラングミュアブロジェット法により形成する事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の薄膜を形成し、第1の薄膜にレーザビームを照射して、第1の薄膜を分解もしくは改質してパターンを形成し、一括選択成膜法によりこのパターン上に選択的に第2の薄膜を成長させるパターン薄膜形成法において、第1の薄膜をラングミュアブロジェット法により形成する事を特徴とするパターン薄膜形成法。

IPC (5件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/46