特許
J-GLOBAL ID：200903088667780675
劈開装置およびそれを有する皮膜成長装置および劈開端面への皮膜成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068716
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283821
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】機構が簡単で、その作業も容易な劈開装置とそれを有する皮膜成長装置,方法を提供する。【構成】溝(1a)が設けられた本体(1)に半導体結晶(2)を収容し、駆動機構(4)を回転して本体を傾斜させることで、スライダ(3)をガイド(1c)に沿ってスライドさせる。半導体結晶(2)にスライダ(3)が衝突することでスクライブライン(2a)に沿って半導体結晶(2)が劈開される。また、この劈開装置を皮膜成長用のチャンバに収容しておけば、劈開後、皮膜成長源に向けて駆動機構(4)を回転させることで、劈開作業に連続して劈開端面に皮膜を成長することができる。
請求項（抜粋）：
劈開すべき半導体結晶を収容し、当該劈開によって除去される半導体結晶が表面から突出する深さの溝を有する本体と、前記本体の溝が設けられた表面を水平面から傾斜させる駆動機構と、前記駆動機構によって本体が傾斜することで、前記本体表面上をスライドし、前記除去される半導体結晶に衝突することで、前記半導体結晶を劈開するスライダとを有することを特徴とする劈開装置。
IPC (2件)：
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