特許
J-GLOBAL ID:200903088668007724

合成石英ガラス部材の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 亮一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-264350
公開番号(公開出願番号):特開平6-092648
出願日: 1992年09月07日
公開日(公表日): 1994年04月05日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 本発明はOH基含有量が50ppm 以下である、P-SiTFT 基板、高純度半導体用治具などに有用とされる合成石英ガラス部材の製造方法の提供を目的とするものである。【構成】 本発明の合成石英ガラス部材の製造方法は、塩素などのハロゲン化物を含まない多孔質シリカ母材を溶解炉内に固定し、不活性ガス中または真空下に 1,150〜1,350 °Cの温度で仮焼結する第1次熱処理工程、引続き昇温して1,400 〜1,600 °Cの温度で透明ガラス化する第2次熱処理工程からなる合成石英ガラス部材の製造方法において、第1次熱処理工程で得られる多孔質シリカ母材をかさ密度が0.90〜1.30g/cm3 のものとすることを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
塩素などのハロゲン化物を含まない多孔質シリカ母材を溶解炉内に固定し、不活性ガス中または真空下に 1,150〜1,350 °Cの温度で仮焼結する第1次熱処理工程、引続き昇温して 1,400〜1,600 °Cの温度で透明ガラス化する第2次熱処理工程からなる合成石英ガラス部材の製造方法において、第1次熱処理工程で得られる多孔質シリカ母材をかさ密度が0.90〜1.30g/cm3 のものとすることを特徴とする合成石英ガラス部材の製造方法。
IPC (3件):
C03B 8/04 ,  C03B 20/00 ,  H01L 21/22

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