特許
J-GLOBAL ID：200903088668364896
薄膜誘電材料用ドナードープペロブスカイト材料形成方法及びこの材料を含む構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-127337
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014983
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 薄膜ペロブスカイト材料をドープすることによって基板を高温に維持することなくこの材料の誘電率を最高化する。【構成】 ペロブスカイト材料は,結晶粒度が小さくなるに従いそのキュー温度の下で誘電率が高まる。ドナードーパントは,ペロブスイカイト材料の臨界結晶粒度を小さくする。それゆえ,ドナードーパントで以て真性ペロブスカイト材料をドープし,次いでその真性臨界結晶粒度より小さい平均結晶粒度を有するドナードープペロブスカイト材料の層を形成する結果,この層の誘電率をこの層の平均結晶粒度に類似の平均結晶粒度を持つ真性ペロブスカイト材料の誘電率より高くし,好適には,更にアクセプタドーパントでドープしてこの材料の抵抗を高めかつ/又はその誘電正接を小さくする。基板表面上の構造は,導電層とこれに接触したこのドナードープペロブスカイト材料の層を含む。
請求項（抜粋）：
改善された誘電材料を形成する方法であって、(a) 第2ペロブスカイト材料を形成するために第1臨界結晶粒度を有する第1ペロブスカイト材料にドナードーパントを添加するステップと、(b) 前記第1臨界結晶粒度より小さい平均結晶粒度を有する前記第2ペロブスカイト材料の層を形成するステップとを含み、前記ステップの結果、前記層の誘電率は前記層の平均結晶粒度に類似の平均結晶粒度を持つ前記第1ペロブスカイト材料の誘電率より実質的に高い、方法。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, C30B 31/00
, H01L 21/822
, H01L 27/108
