特許

J-GLOBAL ID：200903088671264517

半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜用組成物ならびに半導体装置

発明者： 佐藤 任廷
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227592
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074093
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 耐熱性に優れ、低誘電率で、かつ低吸湿性を示す半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜用組成物ならびにこれを用いた耐湿信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 ポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂を含有してなる半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜用組成物ならびにポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂を含む皮膜を半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜として用いてなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

ポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂を含有してなる半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜用組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  C08G 73/00 LQZ ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 A ,  C08G 73/00 LQZ ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多層配線構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068617   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭55-143056