特許
J-GLOBAL ID：200903088672610370
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-325468
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167795
出願日： 1995年12月14日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】微細化および電気特性のどちらか一方を犠牲にせずにすむ半導体装置用の多層配線構造とその製造方法を提供する。【解決手段】第3層配線層138aaと第1層配線層108acとの接続は、窒化シリコン膜スペーサ116を介して下層コンタクト孔114aを充填する下層コンタクト・プラグ117と、酸化シリコン膜スペーサ136aを介して上層コンタクト孔124を充填する上層コンタクト・プラグ137aとによりなされる。下層コンタクト孔114aの上端近傍において上層コンタクト孔124により分断された第2層配線層118acは、上層コンタクト孔124の側面に形成された環状導電体膜スペーサ125により接続される。
請求項（抜粋）：
半導体基板を覆う第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に選択的に形成された第1の配線と、前記第1の絶縁層および第1の配線の表面を覆う第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層に選択的に設けられ,前記第1の配線の一部を貫通して該第1の配線を第1および第2の部分に分断する第1の開孔と、前記第1の開孔によって露出した前記第1の配線の前記第1および第2の部分の面に接触し,該第1の開孔によって露出した前記第2の絶縁層の面に沿って設けられた導電体層と、前記導電体層の表面を覆う第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層によって前記導電体層から絶縁されて前記第1の開孔を埋めて前記第2の絶縁層上に延在形成された第2の配線とを有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/90 B
, H01L 21/90 A
