特許

J-GLOBAL ID：200903088672768462

CPP構造電磁変換素子およびその製造方法

発明者： 池田 淳也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 山▲崎▼ 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119067
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314168
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 電磁変換膜の縮小化に頼ることなく、電磁変換膜に供給される電流の通り道をさらに狭めることができるCPP構造電磁変換素子を提供する。【解決手段】 CPP構造電磁変換素子32は、電磁変換膜43にセンス電流を供給する上側および下側引き出し導電層46、38を備える。下側引き出し導電層38表面には導電端子片39が立ち上がる。導電端子片39と電磁変換膜43との接触面で電流の通り道は規定される。電流の通り道は、電磁変換膜43に接触する導電端子片39の頂上面の広がりに基づき決定されることができる。こういったCPP構造電磁変換素子32では、電磁変換膜43の縮小化に依存せずに電磁変換膜43に対する電流の通り道は狭められることができる。

請求項（抜粋）：

下側引き出し導電層と、下側引き出し導電層の表面から立ち上がる導電端子片と、導電端子片の壁面に接しつつ下側引き出し導電層の表面に広がる絶縁膜と、少なくとも導電端子片の頂上面に横たわる電磁変換膜と、電磁変換膜の頂上面に接触する上側引き出し導電層とを備えることを特徴とするCPP構造電磁変換素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (10件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD54 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07