特許

J-GLOBAL ID：200903088673760830

磁気記録媒体及びその製造方法

発明者： 秋元 秀行 ,  佐藤 賢治 ,  吉田 祐樹 ,  鈴木 政也 ,  菊池 暁 ,  堀江 亨 ,  斎藤 直哉 ,  飯田 亜紀子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-294599
公開番号（公開出願番号）：特開2003-099911
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 耐熱ゆらぎ性及び記録/再生特性に優れた高面記録密度記録用磁気記録媒体及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 磁気記録媒体であって、ガラス基板と、ガラス基板上に設けられた表面に酸化膜を有するNiP層と、NiP層上に設けられた下地層と、下地層上に設けられた非磁性中間層を含んでいる。磁気記録媒体は更に、非磁性中間層上に設けられた強磁性層と非磁性結合層とからなる交換層構造と、交換層構造上に設けられた磁気記録層を含んでいる。NiP層上の酸化膜はスパッタ装置の真空室内に微量の酸素を導入して形成されたものである。NiP層の成膜及び酸化は140°C以上の温度で行なわれる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板と;該ガラス基板上に設けられた表面に酸化膜を有するNiP層と;該NiP層上に設けられた下地層と;該下地層上に設けられた非磁性中間層と;該非磁性中間層上に設けられた強磁性層と非磁性結合層とを含む交換層構造と;該交換層構造上に設けられた磁気記録層とを具備し;前記強磁性層はCrを21〜23at%、Ptを10〜14at%、Bを3〜5at%含み、残部がCoからなるCoCrPtBから構成され;前記磁気記録層はCrを18〜20at%、Ptを10〜12at%、Bを6〜8at%、Cuを4〜5at%含み、残部がCoからなるCoCrPtBCuから構成されることを特徴とする磁気記録媒体。

IPC (9件)：

G11B 5/64 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/84 ,  G11B 5/851 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/28

FI (9件)：

G11B 5/64 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/84 Z ,  G11B 5/851 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/28

Fターム (24件)：

5D006BB02 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006DA03 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09 ,  5D112AA02 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA24 ,  5D112BA03 ,  5D112BB05 ,  5D112BD04 ,  5D112BD06 ,  5D112FA04 ,  5D112FB19 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ニッケル-アルミニウムまたは鉄-アルミニウムの下層を含んで成る磁気記録媒体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-518303   出願人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー
• 磁気記録媒体、磁気記憶装置、記録方法及び磁気記録媒体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-107075   出願人：富士通株式会社