特許
J-GLOBAL ID：200903088673771211
半導体集積回路及びそのレイアウト方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339125
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175334
出願日： 1991年12月21日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】スタンダードセル方式の半導体集積回路およびそのレイアウト方法に関し、配線長が極端に長くなってしまうことを防止する。【構成】コア領域と、該コア領域の周囲に形成された配線領域と、該配線領域に隣接するバッファ配置領域とからなるマクロモジュールを採用し、該マクロモジュールのコア領域の配置位置を定めた後に該マクロモジュールのバッファの配置位置を定める。
請求項（抜粋）：
スタンダードセル方式の半導体集積回路において、コア領域と、該コア領域の周囲に形成された配線領域と、該配線領域に隣接するバッファ配置領域とからなるマクロモジュールを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L 21/82
, G06F 15/60 370
, H01L 27/04
