特許
J-GLOBAL ID:200903088675015830

プローブカード及びプローブカード製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 草野 卓 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-041433
公開番号(公開出願番号):特開2000-241455
出願日: 1999年02月19日
公開日(公表日): 2000年09月08日
要約:
【要約】【課題】半導体集積回路素子の電気的試験を行う際に半導体集積回路素子の被接触部との接触を行うためのプローブカードで、バンプの独立懸架、平面配列、一括形成、およびバーンイン試験への対応を実現すること。【解決手段】半導体基板41にカンチレバー43Aを形成し、このカンチレバー43Aの遊端に半導体集積回路上の被接触部に接触するためのバンプ45を形成する。バンプを外部試験装置に電気的接続を行う配線44を形成する。異方性エッチングによりカンチレバー43Aの下部の半導体基板の部分を除去して穴42を形成しカンチレバー及びバンプに独立した弾性を持たせる。
請求項(抜粋):
A、試験すべき半導体集積回路素子を構成する半導体基板と同等の熱膨張係数を具備した半導体基板と、B,この半導体基板の一方の面に上記半導体集積回路素子に設けられる被接触部の位置に対応して形成された穴と、C,この穴の開口面に、この開口面と平行した姿勢で突出して形成されたカンチレバーと、D,このカンチレバーの各遊端に上記開口面から外向きに突出して形成されたバンプと、E,上記カンチレバーの表面に形成され、上記バンプを試験装置に電気的に接触する配線と、を具備して構成されたプローブカード。
IPC (2件):
G01R 1/073 ,  H01L 21/66
FI (2件):
G01R 1/073 F ,  H01L 21/66 B
Fターム (13件):
2G011AA17 ,  2G011AA21 ,  2G011AB01 ,  2G011AB06 ,  2G011AC14 ,  2G011AE03 ,  2G011AE22 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106DD03 ,  4M106DD04 ,  4M106DD10

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