特許
J-GLOBAL ID：200903088675094209
優れたユニフォーミティを持つシリコン・オン・インシュレータ・フィルムを薄くする方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303284
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232246
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 優れたユニフォーミティを持つシリコン・オン・インシュレータ・フィルムを薄くする方法。【構成】 単結晶シリコン層をその上に形成したアイソレーション層を有する基板を用意し、シリコン層上に熱酸化物層を成長させ予め定めた能動デバイス領域間のポリッシュストップ領域に対応する領域で熱酸化物層をパターン付けしエッチングし、パターン付後の熱酸化物層に従いシリコン層をエッチングして溝を作り、熱酸化物、シリコン、アイソレーション各層の露出表面に絶縁性ポリッシュストップ材を付着させ各層上で上部、側壁、底部のポリッシュストップ材を形成し溝を部分的に充填し、ポリッシュストップ材層にポリシリコンを付着し溝を完全に充填しポリシリコン層をプレーナ化し、ポリッシュストップ材と酸化物層をエッチングして除去し、シリコンと側壁ポリッシュストップ材とポリシリコンを底部ポリッシュストップ材に達する迄ポリッシングする。
請求項（抜粋）：
厚さに関する優れたユニフォーミティと能動デバイス間に自己整列アイソレーション領域とを備える極めて薄い能動デバイス領域を供するために、シリコン・オン・インシュレータ・フィルムを薄くする方法であって、上記方法は、基板を用意し、該基板上に第1の厚さのアイソレーション層を形成し、さらに、該アイソレーション層上に第2の厚さの単結晶シリコン層を形成し、上記シリコン層上に第3の厚さの熱酸化物層を成長させ、予め定められた能動デバイス領域間のポリッシュ・ストップ領域に対応する所望の領域で上記熱酸化物層をパターン付けし、パターン付けされた熱酸化物層を所望の領域でエッチングし、パターン付けされた熱酸化物層に従い、高選択性Si:SiO2エッチで上記シリコン層をエッチングして上記シリコン層に溝を作り、上記の熱酸化物層、シリコン層およびアイソレーション層の露出した表面に絶縁性のポリッシュ・ストップ材を付着させ、それぞれ上記の層の上で上部、側壁および予め定められた厚さの底部のポリッシュ・ストップ層を形成し上記溝を部分的に充填し、上記ポリッシュ・ストップ材の層の上にポリシリコンを付着させ上記溝を完全に充填し、上記ポリシリコン層を上記ポリッシュ・ストップ材に達する迄プレーナ化し、反応イオンエッチングを使って上記上部ポリッシュ・ストップ材および上記酸化物層をエッチングして除去し、上記シリコンと側壁ポリッシュ・ストップ材とポリシリコンを、視覚的ポリッシング・ストップ・インディケータとしての役割を持つ底部ポリッシュ・ストップ材に達する迄、および、底部ポリッシュ・ストップ材の厚さに対応する均一な厚さを持つ能動デバイス領域に隣接する自己整列アイソレーション領域とを、化学的機械的にポリッシングすることと、よりなる方法。
IPC (5件)：
H01L 21/76
, H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/336
, H01L 29/784
