特許

J-GLOBAL ID：200903088675520801

バーンイン方法および装置

発明者： 西口 勝規 ,  橋長 達也
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-187881
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036773
出願日： 1991年07月26日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 バーンイン試験の精度を向上する。【構成】 半導体チップ71を内部に有する被試験デバイスとしての半導体デバイス71〜73を所定温度の環境下に置き、半導体チップに通電することで試験を行なうに際して、最高温度になる半導体チップにダイオードなどの温度センサ72をあらかじめ形成しておき、試験中に温度センサの電気特性(例えばダイオードの順方向立ち上り電圧)を検出することにより半導体チップの温度を測定し、温度の測定結果にもとづき、半導体デバイスの環境温度および/もしくは半導体チップへの通電量を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体チップを内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスを所定温度の環境下に置き、前記複数の半導体チップにそれぞれ通電することで試験を行なうバーンイン方法において、前記複数の半導体チップのうち、環境温度が最高となる位置にセットされた半導体チップに温度センサをあらかじめ形成しておき、試験中に前記温度センサの電気特性を検出することにより前記半導体チップの温度を測定し、前記温度の測定結果にもとづき、前記環境温度および/もしくは前記複数の半導体チップのそれぞれへの通電量を制御することを特徴とするバーンイン方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26