特許
J-GLOBAL ID：200903088680846243
電気・音響変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-255817
公開番号（公開出願番号）：特開2007-074045
出願日： 2005年09月05日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】素子特性のドリフトを抑圧し、送受信の超音波ビームの劣化を抑え、画像の方位分解能やダイナミックレンジの低下を防止する電気・音響変換素子を提供する。【解決手段】基板に形成された第1の電極と、前記基板上に設けられたシリコンまたはシリコン化合物を基材とする薄膜と、前記薄膜上に形成された第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極の間に設けられた空隙層と、電極により与えられる電荷を蓄積する、第1の電極と前記第2の電極の間に設けられた電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層に蓄積された電荷量を測定するためのソース電極とドレイン電極とを有する。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
シリコンまたはシリコン化合物を基材とする基板と、
前記基板上または基板中に形成された第1の電極と、
前記基板上に設けられたシリコンまたはシリコン化合物を基材とする薄膜と、
前記薄膜上または薄膜中に形成された第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極の間に設けられた空隙層と、
前記第1の電極と前記第2の電極により与えられる電荷を蓄積する、前記第1の電極と前記第2の電極の間に設けられた電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層に蓄積された電荷量を測定するためのソース電極とドレイン電極とを有することを特徴とする電気・音響変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
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