特許
J-GLOBAL ID：200903088684590626
単結晶育成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅 直人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-108897
公開番号（公開出願番号）：特開平6-298594
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：
【要約】【目的】 炭化珪素等の単結晶育成装置、特に昇華法により単結晶を育成する単結晶育成装置に係り、原料部および成長部の温度および温度差を、成長中においても容易に調整することができ、炭化珪素等の単結晶を良好に育成することのできる装置を提供することを目的とする。【構成】 昇華法により単結晶を育成する単結晶育成装置において、種結晶C’を保持する支持部材9と坩堝6とを加熱炉1内に上下に対向させて配置すると共に、その支持部材9と坩堝6とを各々独立に上下動可能にかつ回転可能に構成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
昇華法により単結晶を育成する単結晶育成装置において、種結晶を保持する支持部材と坩堝とを加熱炉内に上下に対向させて配置すると共に、その支持部材と坩堝とを各々独立に上下動可能にかつ回転可能に構成したことを特徴とする単結晶育成装置。
IPC (4件)：
C30B 23/00
, C01B 31/36
, C30B 29/36
, H01L 21/203
