特許

J-GLOBAL ID：200903088684753231

気体分離複合膜の製造方法

発明者： 菅藤 雅哉 ,  沢田 太助 ,  木村 雅典 ,  金治 克秀
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037648
公開番号（公開出願番号）：特開平6-246143
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 置換ポリジフェニルアセチレン本来の気体分離性能、気体透過性能を妨げることなく、多孔質支持膜に連続的に直接複数層積層可能な気体分離複合膜の製造方法を提供する。【構成】 気体分離複合膜の製造方法は、(化1)で示される置換ポリジフェニルアセチレンと水面展開剤と接着助剤とからなる気体分離膜溶液を水面展開し、溶媒を蒸発させることで気体分離膜を形成させ、多孔質支持膜と接触させることにより、気体分離膜を多孔質支持膜上に一層以上積層させる。その上に同様にしてシロキサン系高分子からなる気体分離膜を一層以上積層させる。(式中のR1は、アルキル基またはトリアルキルシリル基を、R2はハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、トリアルキルシリル基またはハロゲン原子を示す。nは40〜40000の整数を示す。)

請求項（抜粋）：

(化1)で示される一置換もしくは二置換ポリジフェニルアセチレンと水面展開剤と接着助剤とからなる気体分離膜溶液を一定量、水面上に展開した後、溶媒を蒸発させることによって第1の気体分離膜を形成させ、前記第1の気体分離膜を多孔質支持膜と接触させることにより前記第1の気体分離膜を多孔質支持膜上に少なくとも一層以上積層させ、さらにシロキサン系高分子からなる気体分離膜溶液を一定量、水面上に展開した後、溶媒を蒸発させることによって第2の気体分離膜を形成させ、前記第2の気体分離膜に前記第1の気体分離膜を一層以上積層させた多孔質支持膜と接触させることにより、前記第2の気体分離膜を、前記第1の気体分離膜を一層以上積層させた多孔質支持膜上に少なくとも一層以上積層させることを特徴とする気体分離複合膜の製造方法。【化1】(式中のR1は、アルキル基またはトリアルキルシリル基を、R2はハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基、トリアルキルシリル基またはハロゲン原子を示す。nは40〜40000の整数を示す。)

IPC (2件)：

B01D 71/44 ,  B01D 71/70 500

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 気体分離複合膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-279955   出願人：松下電器産業株式会社, 日本ゼオン株式会社