犠牲金属層を有する多重レベル深X線リトグラフィによる微小構造体の形成

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088578
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045232
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】〔構成〕以下の工程:(a) 支持体表面上にめっき基材を設け;(b) めっき基材上の層にフォトレジストを施こし;(c) フォトレジストに図形状に放射線暴露してフォトレジストを図形状に溶解可能にし;(d) 溶解可能なフォトレジストを除去し;(e) フォトレジストが除去された区域においてめっき基材上に第一の金属からなる第一の層を電気めっきし;(f) 残りのフォトレジストを除去し;(g) めっき基材上に第二の金属からなる第一の層を電気めっきして第一の金属からなる第一の層を被覆して取り囲み、第二の金属はこれが第一の金属をほとんど腐蝕することなく区別して腐蝕されるように選択され;(h) 第二の金属の露出表面を機械処理して第一の金属からなる第一の層を露出する選択された高さまでの平らな表面まで下げることを含む微小機械構造体の形成方法。〔効果〕複雑な金属構造体を、超小型寸法で任意の三次元形状に形成することができる。

請求項（抜粋）：

以下の工程:(a) 支持体表面上にめっき基材を設け;(b) めっき基材上の層にフォトレジストを施こし;(c) フォトレジストに図形状に放射線暴露してフォトレジストを図形状に溶解可能にし;(d) 溶解可能なフォトレジストを除去し;(e) フォトレジストが除去された区域においてめっき基材上に第一の金属からなる第一の層を電気めっきし;(f) 残りのフォトレジストを除去し;(g) めっき基材上に第二の金属からなる第一の層を電気めっきして第一の金属からなる第一の層を被覆して取り囲み、第二の金属はこれが第一の金属をほとんど腐蝕することなく区別して腐蝕されるように選択され;(h) 第二の金属の露出表面を機械処理して第一の金属からなる第一の層を露出する選択された高さまでの平らな表面まで下げることを含む微小機械構造体の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , H01L 21/288 , H01L 21/304 321 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/30 331 E , H01L 21/30 331 Z , H01L 21/30 361 R , H01L 21/88 C

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