特許

J-GLOBAL ID：200903088686768570

化学増幅型レジスト組成物

発明者： 羽田 英夫 ,  菅田 祥樹 ,  山崎 浩幸 ,  駒野 博司
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018008
公開番号（公開出願番号）：特開平9-211846
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 酸の発生効率が高く、かつ感度に優れ、パターン形状、寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性などに優れるレジストパターンを与えるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤含有化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)一般式【化1】(Rは炭化水素基又は置換基を有する炭化水素基)で表わされるオキシムスルホネート基を分子内に2個又は3個有するオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物とする。

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)一般式【化1】(式中のRは炭化水素基又は置換基を有する炭化水素基である)で表わされるオキシムスルホネート基を分子内に2個又は3個有するオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/004 503 ,  C07C307/02 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/004 503 ,  C07C307/02 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-093265   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平2-161444
  
• 特開平2-154266