特許

J-GLOBAL ID：200903088687618912

不揮発性メモリ及びその製造方法

発明者： 小野 隆
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-281216
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265987
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性メモリにおいて、第1のゲート酸化膜106を例えば低電圧用トランジスタ等の周辺回路のゲート酸化膜に用い、かつ当該周辺回路の第1のポリシリコン膜107上に直接シリサイド膜112を生成でき、シリサイド膜112の自然酸化膜還元作用でより安定な電極内電気接続が可能とする。【解決手段】 本発明は、メモリセル周辺にメモリセルと同工程にて第1のゲート酸化膜106、第1のポリシリコン膜107、IPD絶縁膜109、第2のポリシリコン膜111とを順次形成し、第2のポリシリコン膜111とIPD絶縁膜109とをレジスト201を用いて選択的に除去し、その直上にシリサイド膜112を形成する。そして、当該周辺回路を第1のゲート酸化膜106、第1のポリシリコン膜107、シリサイド膜112からなる構造とする。

請求項（抜粋）：

第1の多結晶シリコンよりなる浮遊ゲートとシリサイド層が直上に形成された第2の多結晶シリコンよりなる制御ゲートよりなる電気的書き込み可能なメモリセルを有する不揮発性メモリにおいて、前記シリサイド層が直上に形成された前記第1の多結晶シリコンよりなるゲート電極を有するトランジスタを周辺回路に具備することを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (11件)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 27/04 U ,  H01L 27/08 102 H ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 371