特許

J-GLOBAL ID：200903088688028922

光変調器及び光通信用光源

発明者： 石坂 政茂
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062483
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258739
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 消光比劣化や動作電圧の増加を抑制しつつ、高速動作可能な光変調器を提供する。【解決手段】 (100)面方位のn-InP基板100上にはn-InPバッファ層110が積層され、その上部にn-InPクラッド層120、MQW光吸収層130、p-InPクラッド層140が順次積層されている。p-InP埋め込み層150はこれらの層を取り囲むように選択的に形成されている。p-InP埋め込み層150上面にはp-InGaAsコンタクト層702が積層され、その上部にp側Ti/Au電極631,632が形成されている。p側電極631,632間には電気的に分離された領域801が形成され、p側電極631,632はTi/Au電極522で接続され、引出しパッド電極531,532が接続され、その下部にポリイミド膜410が埋め込まれている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも半導体バッファ層と半導体吸収層と半導体クラッド層とコンタクト層とが順次積層された層構造を有し、前記半導体吸収層の一端から入射された光波の吸収を当該半導体吸収層に印加した電界強度を変えることで変化させる導波型かつ電界吸収型の光変調器であって、前記電界強度を変化させるための電極及び前記コンタクト層を前記光波の導波方向に不連続に形成するようにしたことを特徴とする光変調器。

IPC (3件)：

G02F 1/015 601 ,  G02F 1/025 ,  H01S 5/026

FI (3件)：

G02F 1/015 601 C ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/18 616

Fターム (17件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079DA16 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079FA03 ,  2H079HA15 ,  2H079KA11 ,  2H079KA18 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073EA14