特許
J-GLOBAL ID：200903088689715885

基板の受け渡し方法および機械化学的研磨装置

発明者：
北島 知彦

北島 知彦 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256767
公開番号（公開出願番号）：特開2003-071709
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：
【要約】【課題】 基板に生じるパーティクルを低減することができる基板の受け渡し方法および機械化学的研磨装置を提供する。【解決手段】 CMP装置のロードカップ4は、ウェハWを支持するペデスタル12を有し、このペデスタル12には通路および複数の開口が形成されている。ペデスタル12の通路は、配管19、切換バルブ20、配管22を介して純水供給源21と接続されている。ペデスタル12上でウェハWを位置合わせするときは、配管19,22を連通させる位置に切換バルブ20を切り換えると共に、開閉バルブ25の開位置に切り換える。すると、純水供給源21の純水が配管22,19を介してペデスタル12の通路に供給され、ペデスタル12の開口から純水が流出し、この純水によってウェハWが持ち上がる。このため、ウェハWの表面が乾燥することなく、ウェハWの位置合わせが行える。
請求項（抜粋）：
ベース部上に設けられた研磨パッドと、前記ベース部上に設けられ、基板を支持する支持部を有するロードカップと、前記ベース部の上方に配置され、前記基板を保持して前記研磨パッドに対して加圧する研磨ヘッドとを備えた機械化学的研磨装置を用いて前記基板の表面を研磨した後、前記研磨パッドに保持された前記基板を前記支持部に受け渡す基板の受け渡し方法であって、前記研磨ヘッドに保持された前記基板を前記支持部に支持させるステップと、前記支持部に支持された前記基板の表面に下方より前記液体をかけて前記基板の表面を濡らすステップとを含む基板の受け渡し方法。
IPC (4件)：
B24B 37/04 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/68
FI (6件)：
B24B 37/04 Z ,  B24B 37/04 H ,  H01L 21/304 622 H ,  H01L 21/304 622 L ,  H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/68 N
Fターム (22件)：
3C058AA07 ,  3C058AB03 ,  3C058AC05 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031GA02 ,  5F031HA13 ,  5F031HA24 ,  5F031HA32 ,  5F031HA34 ,  5F031JA10 ,  5F031JA22 ,  5F031KA02 ,  5F031KA11 ,  5F031MA22 ,  5F031MA23 ,  5F031PA04 ,  5F031PA23 ,  5F031PA26
引用特許：
審査官引用 (4件)
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