特許

J-GLOBAL ID：200903088690009242

薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置

発明者： 後藤 真志
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-025932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217424
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 低コストのプロセスで均一性の高い製造が可能であると共に、OFF電流を低く抑えたまま、高いON電流を得ることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタは、多結晶シリコン膜または微結晶シリコン膜を活性層とし、この活性層とソース・ドレイン電極へのコンタクト層との間に電界緩和層が形成され、電界緩和構造となっている。さらに、コンタクト層と活性層のエッチング選択比が大きいため、チャネルエッチングプロセスにおいて、活性層の厚さを基板面内で均一にすることが可能となる。また、本発明の液晶表示装置は、本発明の薄膜トランジスタによって液晶を駆動することを特徴としており、これにより、画素への充電能力の高いアクティブマトリックス型の液晶表示装置が提供される。

請求項（抜粋）：

ゲート電極と多結晶シリコン膜もしくは微結晶シリコン膜からなる活性層と、前記ゲート電極と前記活性層の間に形成されたゲート絶縁膜と、ソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極と前記活性層の間に形成されたコンタクト層を具備した薄膜トランジスタにおいて、前記コンタクト層と前記活性層の間に前記コンタクト層よりも電気伝導度の低い半導体膜からなる電界緩和層を具備し、前記コンタクト層と前記電界緩和層と前記活性層が積層されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 V

Fターム (34件)：

5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK17 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09