特許

J-GLOBAL ID：200903088690453584

半導体装置およびその製造方法

発明者： 浜野 広 ,  荻原 光彦 ,  谷中 真澄 ,  清水 孝篤
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277259
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121791
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 横方向異常拡散を防止し、第1導電型の半導体層に高密度に第2導電型の半導体領域を形成する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板1b上にn型AlGaAs層1aをエピタキシャル成長させた半導体基板1上に、Al2 O3 膜2(拡散マスク膜)を成膜し、このAl2 O3 膜2に拡散開口部2aを形成する((a)、(A))。次にこの上にZnO-SiO2 膜からなる拡散源膜3を成膜し(b)、その上にAlN膜からなるアニールキャップ膜4を成膜する(c)。次にアニール処理により拡散開口部2aにおいて拡散源膜3からn型AlGaAs層1aにZnを拡散させ、p型半導体領域5を形成する(d)。Al2 O3 膜2はn型AlGaAs層1aに対し、密着性が良く、熱膨張係数が近い値なので、アニール時の密着力不足、応力により発生する横方向異常拡散を防止できる。

請求項（抜粋）：

下地基板上に少なくとも一層の第1導電型の半導体層を有する半導体基板と、前記第1導電型の半導体層上に形成された、開口部を有する絶縁膜と、前記開口部から第2導電型不純物を拡散させることにより前記開口部下の前記半導体層に選択的に形成された第2導電型の半導体領域とを備え、前記第1導電型の半導体層が、Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0<x<1)層またはGaAs層であり、前記絶縁膜が、Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>膜であることを特徴とする半導体装置。