特許
J-GLOBAL ID：200903088693063108
端子電極の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156483
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006812
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 多素子電子部品や厚膜ハイブリッドICの端子電極を形成する際に、透孔を有する絶縁基板の透孔内壁面に均一にスルーホール電極を形成しスルーホール導通不良、裏面電極間のショート不良の発生しない端面電極の形成方法の実現を目的とする。【構成】 個片に分割するための分割溝3と、この分割溝3と交わり表面から裏面を貫通する透孔2を有する絶縁基板4において、分割溝3と透孔2の円周上の交点を避けるべく透孔2にかかる部分のパターン幅が他の部分より狭くかつ透孔2の中心部へ行くほど狭くなるように導体ペーストを印刷すると同時に裏面から吸引することで透孔2中心部のパターン幅の一番狭くなっている部分で安定的に導体ペースト1が切断され、透孔2内壁面に均一にスルーホール電極を形成することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に個片に分割するための分割溝と、この分割溝と交わり前記絶縁基板の表面から裏面を貫通する透孔とを形成し、前記分割溝と透孔の円周上との交点に重ならないようにかつ透孔にかかる部分のパターン幅が絶縁基板上の他の部分に形成する配線パターンより狭くするとともに前記透孔の中心部のパターン幅が透孔の円周付近よりさらに狭くなるような版を用いて、前記透孔に導体ペーストをスルーホール印刷しながら印刷面の反対側から吸引して透孔内壁面に導体層を形成し、その後前記分割溝で個片に分割して端面電極を形成することを特徴とする端子電極の形成方法。
IPC (5件)：
H01C 17/28
, H01C 1/14
, H01C 17/06
, H01G 13/00 301
, H05K 3/40
