特許

J-GLOBAL ID：200903088694399738

有機電界効果トランジスタ

発明者： 荒牧 晋司 ,  ▲鶴▼谷 泰之 ,  酒井 良正
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-224313
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072569
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】 高容量、高絶縁耐性、有機半導体との界面の平坦性を兼ね備えた絶縁膜を有する有機電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 有機半導体を用いたトランジスタ素子において、ゲート絶縁膜が少なくともポリマーを含む高誘電率絶縁膜、及びポリマーを含む低誘電率絶縁膜を含む積層体であって、該低誘電率絶縁膜と該高誘電率絶縁膜との誘電率差が1より大きい絶縁体層を積層し、有機電界効果トランジスタを作成する。誘電率差が1以上ある2種類以上の薄膜を積層する事により、性能バランスのとれた有機電界効果トランジスタが得られる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

有機半導体を用いたトランジスタ素子において、ゲート絶縁膜が少なくともポリマーを含む高誘電率絶縁膜、及びポリマーを含む低誘電率絶縁膜を含む積層体であって、該低誘電率絶縁膜と該高誘電率絶縁膜との誘電率差が1より大きいことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T

Fターム (42件)：

5F110AA12 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-028474   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264964   出願人：株式会社日立製作所