特許

J-GLOBAL ID：200903088695248350

半導体発光装置の製造方法

発明者： 尾藤 喜文 ,  渡辺 暁
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 根本 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-155223
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082833
出願日： 1991年05月30日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【構成】 シリコン基板1の一方の主面1aに形成された酸化シリコン膜2aの一部を除去し、これにより一方の主面1aに形成された酸化シリコン膜2aを絶縁マスクとする。この絶縁マスクにより選択されたシリコン基板部分にバッファ層を主構成する半導体結晶をエピタキシャル成長させると共に、そのバッファ層内に歪超格子層を複数形成する。そのバッファ層の上に、LEDを構成する半導体結晶をエピタキシャル成長させる。【効果】 シリコンと半導体結晶との熱膨張係数の相違によるエピタキシャル層におけるクラック発生を防止できる。バッファ層内に歪超格子層を複数形成することでLEDの結晶欠陥を低減して発光特性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の一方の主面に形成された酸化シリコン膜の一部を除去し、これにより一方の主面に形成された酸化シリコン膜を絶縁マスクとし、この絶縁マスクにより選択されたシリコン基板部分にバッファ層を主構成する半導体結晶をエピタキシャル成長させると共に、そのバッファ層内に歪超格子層を複数形成し、そのバッファ層の上に、LEDを構成する半導体結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。