特許

J-GLOBAL ID：200903088702782384

発光素子製造用ウエーハの検査方法

発明者： 山田 雅人 ,  川崎 真 ,  田村 豊
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268222
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097508
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 発光素子製造用ウエーハの欠陥のウエーハ段階での検査を非破壊試験で且つ短時間で行う。【構成】 半導体基板10上にp型クラッド層11、p型活性層12及びn型クラッド層13が順次形成されたダブルヘテロ構造を有する発光素子製造用ウエーハに、n型クラッド層13で吸収されず且つp型活性層12で吸収される波長を含む照射光15を照射し、例えばn型反転層14のような導電型反転層が生成されたことにより増大したフォトルミネッセンス光16を検出することにより欠陥を発見する。ダブルヘテロ構造がGaAlAs混晶型化合物半導体からなる場合は、600nm〜650nmの波長を含む照射光15を照射する。欠陥部分が活性層の欠損である場合は、半導体基板10面の反射光により検出する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に活性層及びこの活性層を上下に挟む上層側及び下層側クラッド層からなるダブルヘテロ構造が形成されてなる発光素子製造用ウエーハの検査方法において、前記上層側クラッド層で吸収されず且つ前記活性層で吸収される波長の光を含む照射光を前記発光素子製造用ウエーハに照射し、照射に伴って生じる前記発光素子製造用ウエーハからの二次光を観察することにより前記発光素子製造用ウエーハの欠陥の有無を検査することを特徴とする発光素子製造用ウエーハの検査方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭49-107483
  
• 特開昭61-080888
  
• 特開昭63-250835