特許

J-GLOBAL ID：200903088708400548

単結晶材料の製造方法及び電子装置の製造方法

発明者： 四戸 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295114
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095797
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】厚く且つ高品質な炭化珪素単結晶を製造可能な単結晶の製造方法、及びそのような炭化珪素単結晶を用いた電子装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の単結晶材料の製造方法は、炭化珪素単結晶素材1の内部に空洞2を形成する工程と、前記空洞2内の空間に面した前記炭化珪素単結晶素材1の第1表面を前記空洞を挟んで前記第1表面に対向した前記炭化珪素単結晶素材1の第2表面に比べてより高温として、前記第1表面から炭化珪素を昇華させるとともに前記昇華した炭化珪素を前記第2表面上で結晶化させる工程とを含んだことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶素材の内部に空洞を形成する工程と、前記空洞内の空間に面した前記炭化珪素単結晶素材の第1表面を前記空洞を挟んで前記第1表面に対向した前記炭化珪素単結晶素材の第2表面に比べてより高温として、前記第1表面から炭化珪素を昇華させるとともに前記昇華した炭化珪素を前記第2表面上で結晶化させる工程とを含んだことを特徴とする単結晶材料の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 658 Z

Fターム (15件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EC05 ,  4G077SA01 ,  4G077SA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16