特許
J-GLOBAL ID：200903088709352350
電子写真感光体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315630
公開番号（公開出願番号）：特開平7-168383
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、可視光すべての領域で良好な光感度を有する感光体を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、導電性表面を有する支持体1上に、a-Siキャリア注入阻止層2、a-Si光導電層、表面保護層5をこの順序で積層するにあたり、a-Si光導電層を第1、第2の光電導層3、4に分離し、光入射側の第2の光導電層4に、水素濃度が高くワイドギャップで高品質なa-Si膜を積層した。
請求項（抜粋）：
少なくとも導電性表面を有する支持体上に非晶質シリコンを主成分とする電荷注入阻止層、光導電層、及び非晶質窒化シリコン又は非晶質炭化シリコンを主成分とする表面保護層を積層した電子写真感光体において、前記光導電層は少なくとも第1光導電層と第2光導電層からなり、前記第2光導電層は前記第1光導電層に対して光入射側に配置され、水素濃度が14ないし20atomic%、水素とシリコン原子の結合状態比SiH2 /SiHが0.16ないし0.22、光学的禁制帯幅が1.75ないし1.9eVで、水素濃度が前記第1光導電層より大きく、膜厚が前記第1光導電層より小さいことを特徴とする電子写真感光体。
IPC (6件)：
G03G 5/08 312
, G03G 5/08 360
, C01B 33/02
, C23C 14/14
, C23C 14/40
, H05K 3/06
