特許
J-GLOBAL ID：200903088710401250
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212903
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066178
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は配線層や引出し電極等の凸部が粗・密に分布する基板上に塗布法により形成されるSOG膜を含む層間絶縁膜を形成し、前記凸部上の層間絶縁膜をパターニングしてビアホールを形成する半導体装置の製造方法に関し、層間絶縁膜の膜厚の不均一があっても、層間絶縁膜を過不足無くエッチングし、層間絶縁膜の下地の過剰なエッチングを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板上の複数の導電体層23a〜23dを被覆して形成され、かつ導電体層23a〜23d上で膜厚が異なる層間絶縁膜26を耐エッチング性マスク27に基づいて同時にエッチングして導電体層23a〜23d上に開口部を形成する半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜26の膜厚の厚い部分の耐エッチング性マスク27の開口部27b〜27dの開口幅は層間絶縁膜26の膜厚の薄い部分の耐エッチング性マスク27の開口部27aの開口幅よりも大きくなっていることを含み構成する。
請求項（抜粋）：
基板上の複数の導電体層を被覆して形成され、少なくとも塗布法により形成されたSOG膜を含み、かつ前記導電体層上で膜厚が異なる層間絶縁膜を耐エッチング性マスクに基づいて同時にエッチングして前記導電体層上に開口部を形成する半導体装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜の膜厚の厚い部分の耐エッチング性マスクの開口部の開口幅は前記層間絶縁膜の膜厚の薄い部分の耐エッチング性マスクの開口部の開口幅よりも大きくなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/768
H01L 21/302 J
, H01L 21/90 D
