特許
J-GLOBAL ID：200903088710443769
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-028006
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226283
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 極めて簡易な構成で、極めて良好な半導体装置の製造を行うことができるようにする。【構成】 半導体基板101表面に2種類以上の原子からなる分子イオンの注入を行い、分子イオンが半導体基板101表面に衝突して分解することにより形成される半導体基板101の深さ方向に層状に並ぶ原子層106,107のうちの不必要な原子層106を選択的に除去して必要な原子層107のみの不純物拡散層110を形成し、半導体基板101表面に絶縁間を形成して半導体基板101表面の不純物拡散層110上にコンタクトホール112を開孔し、次いでコンタクトホール112内に気相成長で金属113の堆積を行って、不純物拡散層110への電極を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に2種類以上の原子からなる分子イオンの注入を行う工程と、前記分子イオンが前記半導体基板表面に衝突して分解することにより形成される、前記半導体基板の深さ方向に層状に並ぶ原子層のうちの不必要な何層かを選択的に除去して、必要な原子層のみの不純物拡散層を形成する工程と、前記半導体基板表面に絶縁間を形成し、前記半導体基板表面の前記不純物拡散層上にコンタクトホールを開孔する工程と、前記コンタクトホール内に気相成長で金属の堆積を行い、前記不純物拡散層への電極を形成する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/265
, H01L 21/28
, H01L 21/90
