特許

J-GLOBAL ID：200903088710566984

露光方法

発明者： 松澤 伸行
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-229731
公開番号（公開出願番号）：特開2002-040648
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 真空紫外線の波長領域におけるレジスト層の光透過率を向上し、これまで以上の極微細加工を可能とする。【解決手段】 真空紫外線でレジスト層を選択的に露光して所定の形状にパターニングするに際し、レジスト層を構成する高分子材料として、飽和n員環(但し、環を構成する炭素原子数nは偶数である。)である脂環を少なくとも1つ有し、当該脂環を構成し且つひとつ置きに配置される少なくとも2以上の炭素原子にフッ素置換基が導入された高分子材料を用いる。このレジスト層を用いることにより、これまで以上の極微細加工が可能になる。

請求項（抜粋）：

レジスト層を真空紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、当該レジスト層を構成する高分子材料として、飽和n員環(但し、環を構成する炭素原子数nは偶数である。)である脂環を少なくとも1つ有し、当該脂環を構成し且つひとつ置きに配置される少なくとも2以上の炭素原子にフッ素置換基が導入された高分子材料を用いることを特徴とする露光方法。

IPC (4件)：

G03F 7/032 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/032 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (16件)：

2H025AA00 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H097AA03 ,  2H097CA13 ,  2H097FA01 ,  2H097LA10