特許
J-GLOBAL ID：200903088716286835
量子井戸分布帰還型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224762
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114764
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 量子井戸活性層両脇の光ガイド層の光の閉じ込め係数を大きくすることによりFM変調効率の増大を図る。上記光ガイド層を量子井戸構造とすることによってさらなるFM変調効率の増大を図る。【構成】 量子井戸活性層両脇の光ガイド層5が2000Å以上の膜厚を有している。また上記光ガイド層5に量子井戸活性層を導入することによってさらなるFM変調効率の増大を図る。
請求項（抜粋）：
InGaAs活性層、InGaAsPバリア層からなる量子井戸活性層を有し、量子井戸活性層の両脇に光ガイド層を有している量子井戸分布帰還型半導体レーザにおいて、前記光ガイド層およびバリア層の膜厚が2000Å以上であることを特徴とする量子井戸分布帰還型半導体レーザ。
引用特許：
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