特許

J-GLOBAL ID：200903088718246946

シリカ多孔体の製造方法

発明者： 新保 優
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013965
公開番号（公開出願番号）：特開2000-211979
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：

【要約】【課題】 形状や気孔径、気孔分布、気孔率の制御が可能であると共に、十分な機械的強度が得られるシリカ多孔体の製造方法を提供する。【解決手段】 シリカ粉体に塩基性の第四アンモニウム化合物の水溶液を添加して成形し、成形体を1300〜1450°Cの温度で焼成する。

請求項（抜粋）：

シリカ粉体に塩基性の第四アンモニウム化合物の水溶液を添加して成形し、成形体を1300〜1450°Cの温度で焼成することを特徴とするシリカ多孔体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 38/00 304 ,  C04B 35/14

FI (2件)：

C04B 38/00 304 Z ,  C04B 35/14

Fターム (7件)：

4G019GA02 ,  4G030AA37 ,  4G030BA34 ,  4G030CA09 ,  4G030GA05 ,  4G030GA20 ,  4G030GA21