特許
J-GLOBAL ID:200903088718672325

片面積層配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渥美 久彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-379416
公開番号(公開出願番号):特開2004-214272
出願日: 2002年12月27日
公開日(公表日): 2004年07月29日
要約:
【課題】ビルドアップ層非形成面側へのレーザー孔明け加工が省略可能なため、信頼性に優れた片面積層配線基板を低コストかつ高い歩留まりで効率よく安定的に製造できる片面積層配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】2枚のコア基板12の第2主面14上に導体層22と導通する導電性の突起88を形成する。次に、コア基板12の第2主面14同士を対向配置し、第2主面14間に導電性金属箔83及びこれを挟む一対の樹脂層84を介在させて厚さ方向に加熱プレスする。この加熱プレスにより、コア基板12を貼り合わせるとともに、突起88の先端を樹脂層33を貫通させて導電性金属箔83に接触させる。次に、第1主面13側にのみビルドアップ層18を形成する。次に、貼り合わされたコア基板12を導電性金属箔83の箇所で剥離して2分割する。この後、2分割によって露出する導電性金属箔83をパターニングして接続端子37を形成する。【選択図】 図8
請求項(抜粋):
第1主面、第2主面及び導体層を有する2枚のコア基板の前記第2主面上に、前記導体層と導通する導電性の突起を形成する工程と、 前記コア基板の前記第2主面同士を対向配置し、前記第2主面間に導電性金属箔及びこの導電性金属箔を挟む一対の樹脂層を介在させて厚さ方向に加熱プレスすることにより、前記コア基板を貼り合わせるとともに、前記突起の先端を前記樹脂層を貫通させて前記導電性金属箔に接触させる工程と、 前記第1主面側にのみビルドアップ層を形成する工程と、 貼り合わされた前記コア基板を前記導電性金属箔の箇所で剥離して2分割する工程と、 前記2分割によって露出する前記導電性金属箔をパターニングして接続端子を形成する工程と を含むことを特徴とする片面積層配線基板の製造方法。
IPC (1件):
H05K3/46
FI (2件):
H05K3/46 N ,  H05K3/46 B
Fターム (23件):
5E346AA05 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA32 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346BB16 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346DD22 ,  5E346DD32 ,  5E346DD33 ,  5E346DD34 ,  5E346EE06 ,  5E346EE31 ,  5E346EE33 ,  5E346FF18 ,  5E346GG17 ,  5E346GG19 ,  5E346GG28 ,  5E346HH31

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