特許

J-GLOBAL ID：200903088723922143

半導体装置の製造方法

発明者： 川本 英明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137225
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321026
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】アルミニウム合金膜と窒化チタン膜を含む積層膜を絶縁膜をマスクとしてパターニングして配線層を形成するときにサイドエッチとエッチング残渣を抑制すること。【解決手段】Cl2 ガスにBCl3 ガスを混合したガスを用いてプラズマエッチングを行なうことによりTiN膜を均一にエッチングしてエッチング残渣をなくし、更にN2 ガスを混合することによりサイドエッチを防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の絶縁膜にアルミニウム合金膜及び窒化チタン膜を含む積層膜を被着した後、第2の絶縁膜を形成しパターニングする工程と、前記パターニングされた第2の絶縁膜をマスクとしてプラズマエッチングにより前記積層膜をパターニングして配線層を形成する半導体装置の製造方法において、エッチングガスとしてBCl3 ガスとCl2 ガスの混合ガスにN2 ガスを添加してサイドエッチを抑制し、かつBCl3 ガスのBCl3 ガスとCl2 ガスの和に対する混合比を少なくとも15%とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 微細金属配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314487   出願人：日本電気株式会社