特許
J-GLOBAL ID：200903088724143610

多層構造の抵抗層を備える不揮発性メモリセルおよびその製造方法、並びにそれを用いた抵抗可変型不揮発性メモリ装置

発明者：
笠井 秀明

笠井 秀明 について

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中西 寛

中西 寛 について

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岸 智弥

岸 智弥 について


出願人/特許権者：
国立大学法人大阪大学

国立大学法人大阪大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-257970
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078509
出願日： 2006年09月22日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】本発明は、高い抵抗比でありながら高速応答性を示す、多層構造の抵抗層を備える不揮発性メモリセルおよびその製造方法、並びにそれを用いた抵抗可変型不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】抵抗層は、電子相関が強い物質層を、該物質層よりも電子相関が弱い2つの物質層、または導電性カーボンナノチューブからなる2つの物質層の間に配置した多層構造を有している。これにより、抵抗層と電極との界面では、電子移動がスムーズに行われる。また、抵抗層の中心層は、電圧によって金属-絶縁体転移(モット転移)が誘起され、抵抗が大きく変化する。それゆえ、高い抵抗比が高く、高速応答が可能な不揮発性メモリセルを実現できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、第2電極と、該第1電極と第2電極との間に配置された抵抗層と、を備え、 上記抵抗層は、第1物質層、第2物質層、および第3物質層を含み、 上記第3物質層は、上記第1物質層と第2物質層との間に配置されており、 上記第3物質層の電子相関は、上記第1物質層および第2物質層の電子相関よりも強く、 上記第1電極と第2電極との間に電流あるいは電圧を印加することで抵抗が変化することを特徴とする不揮発性メモリセル。
IPC (1件)：
H01L 27/10
FI (1件)：
H01L27/10 451
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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