特許

J-GLOBAL ID：200903088730898495

スパッタ方法及びスパッタ装置

発明者： 安藤 謙二 ,  大谷 実 ,  鈴木 康之 ,  枇榔 竜二 ,  金沢 秀宏
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-106750
公開番号（公開出願番号）：特開2000-297368
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 プラズマで分解、励起された反応性の高いスパッタガスが基板裏面側へ侵入するのを抑制し、また基板裏面側での放電形成を防止すること。【解決手段】 真空チャンバー内にあってターゲットをスパッタし、回転する基板ホルダーに取り付けられた基板上に薄膜を成膜するスパッタ装置において、上記基板ホルダーの裏面又は底面が蓋の役割をする、スパッタ粒子の防着を目的として囲まれたパージ室が形成され、前記パージ室内に基板ホルダーの回転軸のパージガス導入部を介してパージガスを導入するパージガス導入手段と、パージ室内のガス分析手段と、ガス分析結果より前記パージガス導入手段によるパージガス導入量を制御する制御手段を具有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空チャンバー内に基板ホルダーの裏面又は底面が蓋の役割をする、スパッタ粒子の防着を目的として囲まれたパージ室を設け、ターゲットをスパッタして、回転する基板ホルダーに取り付けられた基板上に薄膜を成膜するスパッタ方法であって、前記パージ室内にヘリウムガスであるパージガスを導入した後、前記真空チャンバー内にフッ化物系ガスであるスパッタガスを導入しスパッタリングすることを特徴とするスパッタ方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  G02B 1/11

FI (3件)：

C23C 14/34 M ,  C23C 14/06 G ,  G02B 1/10 A

Fターム (8件)：

2K009CC06 ,  2K009DD04 ,  4K029BA42 ,  4K029BC08 ,  4K029CA06 ,  4K029DA04 ,  4K029DA09 ,  4K029JA02