特許
J-GLOBAL ID：200903088733430290
静電容量型圧力センサ及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045263
公開番号（公開出願番号）：特開平11-241968
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】特性のバラツキが少なくて安定性がよく、良品率が高く、価格が安い圧力センサ及び圧力センサの製造方法を提供する。【解決手段】圧力により変位するダイアフラム(肉薄部212 及び可動電極としての平坦部211 )をもつシリコン基板20の両面に、ムライト-コージェライト系セラミックからなる絶縁性基板30a 及び30b が静電接合で接合されている。絶縁性基板30a 及び30b には、それぞれに固定電極31a 及び31b と電極32a 及び32b が形成されており、コンデンサC1及びC2が形成されている。シリコン基板20と2枚の絶縁性基板30a 及び30b とが接合されて剛性が高くなった領域の絶縁性基板30b の上面に、検出回路6がベアチップで構成されている。なお、検出回路6はシリコン基板20と絶縁性基板30a 及び30b とが接合された後で構成される。
請求項（抜粋）：
圧力に応じて変位するダイアフラムを有する導電性基板と、このダイアフラムに対向する位置に電極を有し、導電性基板に接合されている絶縁性基板とを備え、ダイアフラムとこれに対向する電極とが形成するコンデンサの静電容量値によってダイアフラムに印加されている圧力あるいは圧力差を計測する静電容量型圧力センサにおいて、前記コンデンサの静電容量値を検出する検出回路を導電性基板との接合面ではない側の絶縁性基板の表面に構成することを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01L 13/06 C
, H01L 29/84 Z
