特許
J-GLOBAL ID：200903088734636789

積層セラミックコンデンサ

発明者：
服部 康次

服部 康次 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 國弘 安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066173
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273975
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】デラミネーションやクラック等の構造欠陥が生じることもなく、信頼性の高い薄層・多層化された大容量の積層セラミックコンデンサを実現する。【解決手段】誘電体セラミック層1の厚みが、0.5μm以上、1.5μm未満であり、内部導体2の厚みが、0.1μm以上、0.4μm以下であり、内部導体2の導体被覆率が、内部導体2が形成されるべき導体形成領域に対し、面積比で60%以上、90%以下であり、誘電体セラミック層1に含有された特定添加成分8(Siを含有した焼結助剤成分)が、導体形成領域に形成された空隙7に偏析されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
複数の誘電体セラミック層が積層されると共に、箔状の内部導体が前記誘電体セラミック層間に並列状に介装され、かつ外部導体が前記内部導体の一端と電気的に接続された積層セラミックコンデンサにおいて、 前記誘電体セラミック層の厚みが、0.5μm以上、1.5μm未満であり、前記内部導体の厚みが、0.1μm以上、0.4μm以下であり、 さらに、前記内部導体の導体被覆率が、前記内部導体が形成されるべき導体形成領域に対し、面積比で60%以上、90%以下であり、 かつ、前記誘電体セラミック層に含有されたSiを含有した焼結助剤成分が、前記導体形成領域に形成された空隙に偏析されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (2件)：
H01G4/12 ,  H01G4/30
FI (4件)：
H01G4/12 352 ,  H01G4/12 361 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301C
Fターム (13件)：
5E001AB03 ,  5E001AC01 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ01 ,  5E082AB04 ,  5E082BC38 ,  5E082EE05 ,  5E082EE19 ,  5E082EE37 ,  5E082EE39 ,  5E082FG26
引用特許：
審査官引用 (4件)
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