半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035997
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】薄型化・小型化・狭ピッチ化への対応が可能で、かつ安定したプロセスで製造可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】配線基板(上側)40と、配線基板(上側)40の裏面41bにその表面41aを対向させて配置された配線基板(下側)40とを備え、配線基板(上側)40の接続ランド44・めっき層46・はんだ層47の厚さ及び配線基板(下側)40の接続ランド44・めっき層46・はんだ層47の厚さの合計は、配線基板(上側)40の半導体素子150と配線基板(下側)との間に所定の間隔を有する寸法に形成されるようにした。

請求項（抜粋）：

第1の配線基板と、この第1の基板の裏面にその表面を対向させて配置された第2の配線基板とを備え、上記第1の配線基板は、少なくとも片方の面に形成された配線パターンと、この配線パターンに接続されるとともに、裏面側に配置された第1の半導体素子と、表面側に形成され外部との接続に供される第1の接続部と、裏面側に形成され外部との接続に供される第2の接続部とを有し、上記第2の配線基板は、少なくとも片方の面に形成された配線パターンと、この配線パターンに接続されるとともに、裏面側に配置された第2の半導体素子と、表面側に形成され外部との接続に供される第3の接続部と、裏面側に形成され外部との接続に供される第4の接続部とを有し、上記第2の接続部の厚さ及び第3の接続部の厚さの合計は、上記第1の半導体素子と上記第2の配線基板との間に所定の間隔を有する寸法に他の配線パターン部に比して肉厚に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H05K 1/14 , H05K 3/36

FI (3件)：

H01L 25/08 Z , H05K 1/14 A , H05K 3/36 B

Fターム (9件)：

5E344AA01 , 5E344AA22 , 5E344BB01 , 5E344BB06 , 5E344CC23 , 5E344CD09 , 5E344DD02 , 5E344DD10 , 5E344EE12

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