特許

J-GLOBAL ID：200903088742734951

半導体集積回路の製法

発明者： 梅林 拓
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180263
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046055
出願日： 1994年08月01日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 それぞれ複数種のしきい値電圧Vthを有し、狭小なチャネル幅のn-MISと、p-MISとを確実に形成することができるようにする。【構成】 共通の半導体基板11に、素子間分離絶縁層12よって分離された複数のMISトランジスタンジスタが形成される半導体集積回路の製法において、そのMISトランジスタンジスタのゲート電極13の形成工程で、そのゲート電極13の形成と同時に、少なくとも一部のMISトランジスタンジスタの形成領域を囲む素子間分離絶縁層12上においてゲート電極13と同一構成の枠部14を形成し、一部のMISトランジスタンジスタのゲート電極13を通じてこのゲート電極13下の基板表面濃度を変更する不純物の高エネルギーイオン注入を行ってこのMISトランジスタンジスタのしきい値電圧の調整を行って異なるしきい値電圧Vthを有するMISトランジスタを同時に形成する。

請求項（抜粋）：

共通の半導体基板に、素子間分離絶縁層よって分離された複数の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが形成される半導体集積回路の製法において、上記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極の形成工程において、ゲート電極の形成と同時に、少なくとも一部の絶縁ゲート型電界効果トランジスタに関してその形成領域を囲む上記素子間分離絶縁層上において上記ゲート電極と同一構成の枠部を形成し、その後に、上記一部の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極を通じて該ゲート電極下の基板表面濃度を変更する不純物の高エネルギーイオン注入を行って該絶縁ゲート型電界効果トランジスタのしきい値電圧の調整を行うことを特徴とする半導体集積回路の製法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/265 W ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 Y