撮像装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：古谷史旺 , 森俊秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-210872
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027601
出願日： 2005年07月21日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】フォトダイオードに電荷を残すことなく、フローティングディフュージョン領域のリーク電流を削減し、撮像装置の歩留を向上する。【解決手段】複数の画素の各光電変換部は、転送部と、光電変換部からの信号電荷を蓄積する第1および第2蓄積領域を介して増幅部に接続される。第2蓄積領域の不純物濃度は、第1蓄積領域の不純物濃度より低く設定されている。このため、第2蓄積領域のリーク電流(暗電流)を削減でき、蓄積領域全体としてリーク電流を削減できる。一方、第1蓄積領域の不純物濃度を従来と同じにすることで、光電変換部で発生した電荷を第1蓄積領域に完全転送できる。したがって、次フレームの残像の発生や黒つぶれ(黒点)の発生を防止できる。すなわち、光電変換部に電荷を残すことなく、蓄積領域のリーク電流を削減し、撮像装置の歩留を向上できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

マトリックス状に配置された複数の画素を備え、各画素は、入射光の光量に応じて信号電荷を生成する光電変換部と、半導体基板に不純物を導入することにより形成された拡散層により構成され、前記光電変換部により生成された信号電荷を蓄積する第1および第2蓄積領域を有する蓄積部と、前記第1および第2蓄積領域を互いに接続する接続配線と、前記光電変換部に蓄積された信号電荷を、前記第1蓄積領域に転送するための転送部と、前記第2蓄積領域に接続され、蓄積された信号電荷に応じて画素信号を出力する増幅部とを備え、前記第2蓄積領域の不純物濃度は、前記第1蓄積領域の不純物濃度より低く設定されていることを特徴とする撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A , H04N5/335 E , H04N5/335 G

Fターム (14件)：

4M118AA01 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA19 , 4M118DD04 , 4M118FA06 , 4M118FA34 , 5C024CX17 , 5C024CY47 , 5C024GX04 , 5C024GX06 , 5C024GX18 , 5C024GY31

引用特許：

出願人引用 (1件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-337612 出願人：キヤノン株式会社

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