特許
J-GLOBAL ID：200903088748317775
半導体集積回路装置の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039174
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232248
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板に打ち込まれた不純物の濃度分布を高精度に測定する技術を提供する。【解決手段】 実験計画法に基づいて、拡散層2の形成条件を変化させたシミュレーションを行い、ある濃度における不純物の横方向拡散距離(Lx)に対する関数を作成する。次に、実デバイスを用いてゲート-ドレイン間容量を測定し、この測定結果に基づいて関数を補正する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にイオン注入した不純物をアニールすることによって形成される拡散層の不純物濃度分布を評価するにあたり、実験計画法に基づいて拡散層の形成条件を変化させたシミュレーションを行い、前記拡散層の形成条件を変数とする不純物の拡散距離の関数を作成する工程と、実デバイスを用いた実測値に基づいて前記関数を補正することにより、前記不純物の拡散距離を算出する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 T
, H01L 21/66 Z
