特許

J-GLOBAL ID：200903088751194714

表面発光レーザとそのパワー出力を監視するフォトダイオードとの集積化

発明者： ホン・リン ,  ロン・ヤン ,  マイケル・アール・ティー・タン ,  シー-ユアン・ワン
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280012
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135049
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】本発明は、工程の複雑さと、エピタキシャル層の露出の両方を最小限にする、基板上にフォトダイオードと表面発光レーザ(SEL)を集積化する構造及び方法を提供する。【解決手段】第1実施例において、単にSELの表面に個別のショットキー接触子を追加することによって、フォトダイオード構造が、表面発光レーザと集積化される。第2実施例において、フォトダイオードとSEL間に電流絶縁領域を配置することによって、フォトダイオード構造が、表面発光レーザと集積化される。SELの光発生領域が、フォトダイオードの光吸収領域に光学的に結合されるように、電流絶縁領域は、第1のミラー領域内に延伸するが、活性領域の光発生領域内には延伸しない。

請求項（抜粋）：

集積化された発光素子および光検出素子において、通過する光に応答して光を発生する光発生領域を含み、第1の側、及び第2の対向側を有する活性領域であって、光発生領域が、第1の表面を介して第1の方向に光を放出する活性領域と、第1の側、及び第2の対向側を有し、活性領域の第1の側に配置され、光発生領域に向かって光を反射するための第2のミラー領域と、第1の側、及び第2の対向側を有し、その第1の側が、活性領域の第2の側に配置され、光発生領域に向かって光を反射するための第1のミラー領域と、第1の側、及び第2の対向側を有し、その第1の側が、第1のミラー領域の第2の側に配置される基板と、第1の表面上に形成され、第1の方向に放出される光を検出するためのショットキー接触子と、からなる、集積化された発光素子および光検出素子。