特許
J-GLOBAL ID：200903088760629766

多結晶シリコンの製造方法

発明者：
安 ▲ビョン▼胎

安 ▲ビョン▼胎 について

, 
孫 東均

孫 東均 について


出願人/特許権者：
エルジー電子株式会社

エルジー電子株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-339545
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250423
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【課題】低い温度で熱処理し、高価のSi2H6に代えて安価なSiH4ガスを使用することにより、ガラス基板等の低価の基板を使用でき、且つ大面積の多結晶シリコン薄膜を経済的に製遺し得る方法を提供すること。【解決手段】本発明の多拮晶シリコンの製造方法は、基板を設ける工程と、基板上に非結晶シリコンを堆積する工程と、非結晶シリコンに金属を吸着させる工程と、非結晶シリコンを熱処理して結晶化する工程とを包含する。
請求項（抜粋）：
基板を設ける工程と、該基板上に非結晶シリコンを堆積する工程と、該非結晶シリコンに金属を吸着させる工程と、該非結晶シリコンを熱処理して結晶化する工程と、を包含する多結晶シリコンの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM