特許

J-GLOBAL ID：200903088769677046

酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法

発明者： 吉田 誠人 ,  寺崎 裕樹 ,  松沢 純
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258778
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106990
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 SiO2絶縁膜等の被研磨面を平坦に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。【解決手段】 TEOS-CVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハを、セリウム化合物水和物を350°C以上500°C以下の温度で焼成して得られた酸化セリウム化合物を、粉砕処理を施し600°C以上の温度で焼成して得られる酸化セリウム粒子を媒体に分散したスラリー研磨剤で研磨する。

請求項（抜粋）：

セリウム化合物水和物を350°C以上500°C以下の温度で焼成して得られた酸化セリウム化合物を、粉砕処理を施し600°C以上の温度で焼成して得られる酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  C01F 17/00 ,  C09K 3/14 550

FI (4件)：

H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H ,  C01F 17/00 A ,  C09K 3/14 550 D