特許

J-GLOBAL ID：200903088769819584

強誘電体記憶装置

発明者： 岩松 誠一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156456
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347391
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】新しい強誘電体記憶装置構造、半導体記憶装置構造、強誘電体膜構造、強誘電体記憶装置の製造方法および強誘電体膜材料を提供する。【構成】基板上の第1の電極表面には、結晶体から成る第1の強誘電体膜とアモルファス体から成る第2の強誘電体膜とが積層強誘電体膜として形成され、該積層強誘電体膜表面には第2の電極が形成されて成る事を特徴とする強誘電体記憶装置。【効果】記憶時間や記憶寿命が長く、書き込み回数が多く、誘電率の制御が容易な強誘電体記憶装置構造、半導体記憶装置構造、強誘電体膜構造、強誘電体記憶装置の製造方法および強誘電体膜材料を提供する事が出来る。

請求項（抜粋）：

基板上の第1の電極表面には、結晶体から成る第1の強誘電体膜とアモルファス体から成る第2の強誘電体膜とが積層強誘電体膜として形成され、該積層強誘電体膜表面には第2の電極が形成されて成る事を特徴とする強誘電体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-229472
  
• 特開平3-108770
  
• 特開平3-108752
  
• 特開平2-238672