特許
J-GLOBAL ID:200903088772128843

電界放射冷陰極とその製造方法及び電界放射冷陰極を用いた電界放射ディスプレー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 畑 泰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-060427
公開番号(公開出願番号):特開2000-260302
出願日: 1999年03月08日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 従来の各種の制約を回避し、容易に且つ効率的に高性能の電界放射冷陰極を有する大型の平面ディスプレイを製造する事が可能な電界放射冷陰極及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に形成されたエミッタ電極2、当該エミッタ電極2上に配置された電子発生源3、当該電子発生源3に近接して配置された引き出し電極4とから構成されている電界放射冷陰極体10であって、且つ当該電子発生源3は、酸化膜若しくは窒化膜5で被覆された微細なシリコン粒子6が複数個集合して形成された多孔性粒体塊7が複数個集合せしめられて形成された電界放射冷陰極10。
請求項(抜粋):
基板上に形成されたエミッタ電極、当該エミッタ電極上に配置された電子発生源、当該電子発生源に近接して配置された引き出し電極とから構成されている電界放射冷陰極体であって、且つ当該電子発生源は、酸化膜若しくは窒化膜で被覆された微細なシリコン粒子が複数個集合して形成された多孔性粒体塊が複数個集合せしめられている事を特徴とする電界放射冷陰極。
IPC (4件):
H01J 1/312 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12
FI (4件):
H01J 1/30 M ,  H01J 9/02 M ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C
Fターム (13件):
5C031DD09 ,  5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EG15 ,  5C036EH06 ,  5C036EH08 ,  5C036EH11

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